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球差电镜原子级元素Mapping
周 期:10-15个工作日
地 点:美国
价 格:10000.00/PCS
ARM 200F在保证亚纳米分辨率0.078nm的同时,能量分辨率提高到0.3eV,极大增强了原子级观察和原子级分析能力。现在米格实验室新增的这台Grand-ARM 200F配置更加高端,可以实现原子级元素Mapping。
服务描述

  传统的冷场发射技术稳定性差,亮度低,无法保证透射电镜的使用需求。日本电子株式会社开发的冷场发射技术解决了这些问题,并把该技术加入到最新球差校正透射电镜ARM 200F序列里。使ARM 200F在保证亚纳米分辨率0.078nm的同时,能量分辨率提高到0.3eV,极大增强了原子级观察和原子级分析能力。现在米格实验室新增的这台Grand-ARM 200F配置更加高端,堪称一件分析“利器”。


 

 冷场发射球差矫正透射电镜


主要特点:

1)具有原子间图像分辨率(atom-by-atom imaging resolution)和无与伦比的原子间空间分辨率

2)标配照明系统的球差校正器,STEM分辨率高达 0.078 nm, 为世界顶级的商业化透射电镜,同时使其具有无与伦比的分析功能

3)极强的抗干扰能力和超高稳定性,采用了多种新技术和设计确保实现原子级的分辨率和分析能力

4)可以选配成像系统的球差校正器,点分辨率可以提高到 0.11 nm

5)操作极为简单,克服了球差校正透射电镜难于操作的难题

 

基础参数:

1.分辨率:STEM <0.078 nm

         TEM<0.11 nm

2.放大倍数:STEM 100 to 150,000,000x

           TEM50to 2,000,000x

3.加速电压: 30,40,60,80,200 kV

4.配置:冷场发射电子枪(Cold-FEG);球差校正器doubleCs Correctors (Image + Probe) ;高阶球差校正器(ASCOR)


详细性能参数请看下图



案例展示

            


 

氮化硼单分子层在60kV加速电压下的中角环形暗场像



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高角环行暗场像HAADF&球差校正环形明场像ABF 




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Sr,Ti,O单原子的EDS mapping


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