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离子束IBE刻蚀技术
周 期:5个工作日
地 点:苏州市
价 格:400/h
利用辉光放电原理将氩气分解为氩离子,氩离子经过阳极电场的加速对样品表面进行物理轰击,以达到刻蚀的作用。
服务描述

1.离子束刻蚀(IBE)技术的原理?

   利用辉光放电原理将氩气分解为氩离子,氩离子经过阳极电场的加速对样品表面进行物理轰击,以达到刻蚀的作用。刻蚀过程即把Ar气充入离子源放电室并使其电离形成等离子体,然后由栅极将离子呈束状引出并加速,具有一定能量的离子束进入工作室,射向固体表面轰击固体表面原子,使材料原子发生溅射,达到刻蚀目的,属纯物理刻蚀。


2.离子束刻蚀(IBE)适合的材料体系?

   可用于刻蚀加工各种金属(Ni、Cu、Au、Al、Pb、Pt、Ti等)及其合金,以及非金属、氧化物、氮化物、碳化物、半导体、聚合物、陶瓷、红外和超导等材料。

   目前离子束刻蚀在非硅材料方面优势明显,在声表面波、薄膜压力传感器、红外传感器等方面具有广泛的用途。


3. 离子束刻蚀(IBE)技术的优点和缺点?

a 优点:

 (1)方向性好、无钻蚀、陡直度高;

 (2)刻蚀速率可控性好,图形分辨率高,CD可小于0.1um;

 (3)属于物理刻蚀,可以突破刻蚀材料的限制;

 (4)刻蚀过程中可改变离子束入射角来控制图形轮廓,加工特殊的结构;

b 缺点:

 (1)刻蚀速率慢、效率比ICP更低;

 (2)难以完成晶片的深刻蚀;

 (3)属于物理刻蚀,常常会有过刻的现象。


4.反应离子刻蚀(RIBE)技术简介及优点?

   反应离子束刻蚀(RIBE)是在离子束刻蚀的基础上,增加了腐蚀性气体,因此它不但保留了离子束物理刻蚀能力,还增加了腐蚀性气体(氟基气体、O2)离化后对样品的化学反应能力(反应离子束刻蚀:RIBE),也支持腐蚀性气体非离化态的化学辅助刻蚀能力(化学辅助离子束刻蚀:CAIBE),对适用于化学辅助的材料可以大幅度提升刻蚀速率,提高刻蚀质量。


5.离子束刻蚀(IBE)设备目前由哪些厂家?

   主要有爱德万斯、创世威纳、金盛微纳、中电48所、美国Nanomaster、美国Vecco、英国牛津Oxford等。目前国内主要的IBE刻蚀设备都来自于国内,爱德万斯技术来源于航天,具有30多年的积累,目前为行业主流供应商。


6.离子束刻蚀(IBE)设备的简介及主要的性能指标?

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刻蚀气体:Ar

Ar+离子能量范围:0-1000eV

极限真空:< 8.5*10-5Pa

Ar+离子束有效束径:>100 mm

基片尺寸:≤6英寸,向下兼容任意规格样品

刻蚀均匀性:4英寸均匀性优于±5% ,6英寸均匀性优于±7%

刻蚀速率:通常10nm~50nm/min(与刻蚀材料和工艺有关)

倾斜角度:0~90°

 

6. 离子束刻蚀(IBE)的案例展示  

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7. 离子束刻蚀(IBE)相关业务介绍?


(1)客户须知:

  需要告知基片名称、尺寸和刻蚀数量,待刻蚀材料种类膜层结构,有无掩模、掩模材料和厚度,衬底材料。


(2)收费情况:

  按照时间:每次刻蚀4小时以内按照1500/次,超过4h之后每小时加收400;

  按照片数:适用于小批量的超过10片以上,4寸的按照800/片,10片起,每片刻蚀时间不超过4h。 6寸的按照1000/片,10片起,每片刻蚀不超过4h;

  定 制 化: 根据具体的需求进行评估,单独报价。