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电镜技术是研究材料的最基础和最重要的手段之一,同时也是米格实验室技术矩阵中的重要组成部分,包含了:

扫描电镜技术

透射电镜技术

聚焦离子束(FIB)技术

电镜样品的制备技术

1.常规检测预约服务(EM Instrument Booking)

提供全国多区域、多种电镜仪器的机时预约与服务,包括扫描及透射的制样、观察及分析,提高检测效率、缩短时间

2.高端电镜整包服务(Whole Package Service)

提供专业的FIB+SEM、FIB+TEM、FIB+球差透射电镜的技术服务需求,从方案设计到数据分析一站式服务

3.电镜技术咨询服务(Consulting Service)

为高水平的研发及科研提供电镜整体咨询与解决方案、与电镜专家合作开发产品或者共同署名发表高水平文章。

米格实验室-超级电镜中心基本形成全国的服务网络:

包含北京电镜基地、天津基地、无锡基地、上海基地,以及太原、合肥、厦门、深圳、广州、长沙、西安、包头、呼和浩特等区域实验室,可满足客户的一站式需求。

  • 北京电镜基地
  • 天津电镜基地
  • 无锡电镜基地
  • 报价单
  • 设备一
  • 设备二
  • 设备三
  • 设备四
  • 设备五
  • 设备六
  • 设备七
  • 设备八
设备名称:JEM-ARM200F冷场发射双球差校正扫描透射电镜(北京)

型号:JEM ARM 200F

技术指标:

1.分辨率:STEM <0.078 nm;TEM<0.11 nm

2.放大倍数:STEM 200 to 150,000,000x TEM 50 to 2,000,000x

3.加速电压: 80kV,200 kV

配置情况:

1.STEM-EELS+STEM-EDS

2.JEOL STEM Detector(BF/ABF/HAADF)

3.Gatan STEM Detectors(for EELS)

4.聚光镜与物镜双球差校正器

擅长样品:

单原子催化、纳米粉体、半导体多层膜、金属材料、锂电池材料

ARM 200F在保证亚纳米分辨率0.078nm的同时,能量分辨率提高到0.3eV,极大增强了原子级观察和原子级分析能力。现在米格实验室新增的这台Grand-ARM 200F配置更加高端,堪称一件分析“利器”。
Arm200F共有两台仪器:
总体机时数量:200h/年+500/年,购置后可以预约,预约周期1~2周
球差电镜 机时数(h) 单价(元) 总价(元)
ACTEM Arm200F X<10 3500 3500*X
ACTEM Arm200F 10 3000 30,000
ACTEM Arm200F 20 2500 50,000
ACTEM Arm200F 50 2000 100,000
设备名称:场发射透射电子显微镜F20 HRTEM(北京)

型号:FEI F20 HRTEM

技术指标:

1.放大倍数:25倍到105万倍

2.加速电压:200kV

3.点分辨率:0.24nm,STEM分辨率0.19nm

4.能谱能量分辨率 129eV, 元素测量范围 Be-U

服务内容:

1.高分辨透射像 HRTEM

2.明场像/暗场像 BF/DF

3.选区电子衍射 SAED

4.高角环形暗场像 HAADF-STEM

5.能谱 EDS

FEI F20 HRTEM总体机时数量:1000h/年,购置后可预约,周期:1周
高分辨率透射电镜 机时数(h) 单价(元) 总价(元)
FEI F20 HRTEM X<10 900 900*X
FEI F20 HRTEM 10 800 8,000
FEI F20 HRTEM 50 700 35,000
FEI F20 HRTEM 100 600 60,000
HR透射样制备:
HRTEM样品制备质量要求相对较高,可以打包采购,可以优惠
TEM制样 数量(pcs) 单价(元) 总价(元)
FIB HRTEM样 X<10 5,000 5,000*X
FIB HRTEM样 10 4,000 40,000
FIB HRTEM样 20 3,500 70,000
设备名称:场发射透射电子显微镜F30 HRTEM(北京)

型号: Tecnai G2 F30 S-TWIN

技术指标:

1.放大倍数:200倍到100万倍

2.加速电压:300kV,肖特基电子枪

3.点分辨率:0.205nm,线分辨率0.102nm,STEM分辨率0.16nm

4.EELS分辨率:0.65eV

5.能谱能量分辨率 136eV, 元素测量范围 Be-U

服务内容:

1.Gatan电子能量过滤系统(GIF)

2.EDS能谱仪 X-射线能谱仪

3.STEM-HAADF高角环形暗场探头

4.Gatan894Ultriscan相机

5.Gatan994Ultriscan相机

6.Lorentz 电磁透镜

擅长领域:

金属材料的透射电镜,包括高温、高熵各种合金

FEI F30 HRTEM总体机时数量:1000h/年,购置后可预约,周期:1周
高分辨率透射电镜 机时数(h) 单价(元) 总价(元)
FEI F30 HRTEM X<10 1000 1000*X
FEI F30 HRTEM 10 800 8,000
FEI F30 HRTEM 50 700 35,000
FEI F30 HRTEM 100 600 60,000
设备名称:聚焦离子束-氦离子显微镜(FIB-HIM)(北京)

型号:Zeiss Orion NanoFab

技术指标:

1.Ga离子束:分辨率3nm;最薄切片:3nm(切割束)

2.Ga离子束束流:1pA-100nA,加速电压1-30kV

3.氖离子束:分辨率1.9 nm;(切割束)

4.氖离子束:束流0.1-50 pA,加速电压10-30kV

5.氦离子束:分辨率0.5nm(成像束)

6.氦离子束:束流0.1-100pA,加速电压:10-40kV

服务内容:

1.配备3D自动切片-成像软件

2.配备有Pt、C等辅助沉积材料

擅长服务

矿物、岩石、有机质等超高分辨三维重构

ORION NanoFab聚焦离子束—氦(氖)离子束显微镜,是一款集高分辨氦离子显微镜(HIM)的成像功能和聚焦离子束(FIB)和氖离子束(Ne ion beam)的切割功能为一体三束系统,可以进行二维超高分辨率、亚10nm有机孔隙高分辨成像、大面积二维超高分辨二次电子成像、三维空间结构、矿物组成及分布、三维空间有机质分布及TOC、三维孔隙分布。核心特点:氖离子束成像具有极高的分辨率,在3D重构方便不同区域具有很好的衬度,明显优于普通电子束成像,氖离子切割比Ga离子具有更小的损伤,可以加工有机质材料。
总体机时数量:500h/年,购置后可以预约,预约周期7~10天。
1)常规加工:
FIB-HIM三束系统 机时数(h) 单价(元) 总价(元)
FIB-HIM加工 X<20 2000 2000*X
FIB-HIM加工 30 1500 45000
FIB-HIM加工 50 1100 55000
2)成像及三维重构:
FIB-HIM三束系统 数量(pcs) 单价(元) 总价(元)
FIB-HIM成像 X 1,000 1,000*X
FIB-HIM 3D重构 X(pcs) 20000/样 20000*X
FIB-HIM 3D重构 X(pcs) 25000(500张图片内) 25000*X(500~1000张图)
设备名称:聚焦离子束系统FIB- Zeiss CrossBeam 540(北京)

型号:Zeiss Cross Beam 540

技术指标:

1.离子束分辨率<3nm、束流1pA-100nA、加速电压0.5-30kV,薄片厚度可到3nm、配备3D自动切片成像软件

2.电子束:分辨率0.9nm@15kV、加速电压0.02-30kV、放大倍数12-200万

3.配置情况:EDS、EBSD、二次电子探测器等

4.沉积及辅助刻蚀材料:Pt、C

5.纳米机械手

Zeiss CrossBeam FIB主要功能包括高分辨二次电子成像、高分辨背散射电子图形、三维空间矿物组成及分布、三维空间有机质分布及TOC、三维孔隙分布、连通性、孔径及孔隙度、切割薄片厚度可以到3nm、宽度达到100um的三维结构成像、透射电镜样品制备、2D和3D EDS图像、2D和3D EBSD图像,SEM具备自动拼图功能,可以拼接出单张cm尺度、高分辨的图像。
聚焦离子束-扫描电子显微镜总体机时数量:700h/年,购置后可以预约,预约周期1周
1)常规加工:
SEM-FIB 机时数(h) 单价(元) 总价(元)
SEM-FIB加工 X<20 1500 1500*X
SEM-FIB加工 30 1300 39000
SEM-FIB加工 50 1100 55000
2)TEM制样:
TEM制样 数量(pcs) 单价(元) 总价(元)
FIB制样 X<10 5,000 5,000*X
FIB制样 10 4000 40000
FIB制样 20 3500 70000
设备名称:XL30 S-FEG场发射扫描电镜(北京)

型号:XL30 S-FEG

技术指标:

1.最高成像分辨率1.5nm

2.加速电压:200V-30kV

3.放大倍数:80倍-80万倍

4.工作距离:1-50mm

5.倾斜角度:-10度-45度

6.分辨率:130eV

7.分析范围:B-U

XL30 S-FEG扫描电镜总体机时数量:1000 h/年;预约周期3-5天
SEM 机时数(h) 单价(元) 总价(元)
XL30 S-FEG X<30 500 500*X
XL30 S-FEG 50 400 20000
XL30 S-FEG 100 300 30000
XL30 S-FEG 200 260 52000
备注:
上述仪器,一次性购买超过100 h的客户可以免费培训一名学生或员工操作,如需要工程师给与操作在报价的基础上加收人工费100/h。
设备名称:常规及冷冻超薄切片电镜样品制备(北京)

型号:莱卡Lecia UCT&EM FCS&TRIMEM

技术指标:

1.切片厚度:lnm—15Um

2.落射光,背景光,透射光照明

3.显微镜放大10X-60X

配置情况:

常温超薄切片

低温冷冻超薄切片

修块机、制刀机等

擅长样品:

生物医学样品(如:动植物组织、细胞、临床手术样品)及部分材料

本模块为生物电镜样品制备,包括环境扫描及透射电镜样品制备,包含了常温、低温冷冻超薄切片机、树脂包埋修块机、制刀机等相关设备,同时还具有样品染色能力。可以完成:(1)常温下将样品切成50-80纳米级超薄切片,以适用于透射电镜样品观察;(2)在冷冻状态下对不需要强固定的新鲜组织样品及部分软组织材料进行超薄切片(3)将树脂包埋样品外多余树脂切除,暴露样品,并修整成特定的型态为后续切片做准备;(4)制备适合半薄切片及超薄切片使用的玻璃刀
生物电镜样品制备:总共机时500/年,制样周期为2周
测试项目 价格 备注
环境扫描电镜 800元/小时 Quanta FEG250
生物样品透射电镜 800元/小时 Tecnai G20
生物透射样品制备 1500元/样品 如需样品盒150元/个
冷冻超薄切片透射样制备 2000元/样品 特殊样品价格面议
设备名称:高分辨场发射透射电镜 FEI Talos 200X(呼和浩特)

型号:Titan Cubed Themis G2 300

技术指标:

1.TEM模式的点分辨率:优于0.25 nm (200 kV)

2.STEM点分辨率:优于0.16 nm (200 kV)

3.极靴间距不小于 5 mm

4.在200kV时的结构三维重构的空间分辨率优于1 nm

5.在200kV时的成分三维重构的空间分辨率优于2 nm

配置情况:

具备EDS能谱仪系统

高角度环形暗场(HAADF)、环形明场(ABF)、能谱(EDS)等

擅长领域:

单原子催化、纳米、金属材料的透射分析

Talos F200X的STEM模式和TEM模式适用于对无机材料结构进行高分辨表征和分析,除了常规的形貌、成分、衍射分析,主要擅长金属样品,尤其是铝镁合金等样品的透射电镜观察;可用于材料、化学化工、半导体、地质学、生物学、物理学等领域
Talos F200X 总体机时数量:500h/年,购置后可预约,周期:1周
球差电镜 机时数(h) 单价(元) 总价(元)
Talos F200X X<10 1000 1000*X
Talos F200X 10 900 9000
Talos F200X 20 800 16000
Talos F200X 50 700 35000
  • 设备一
  • 设备二
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设备名称: 聚光镜球差校正透射电镜Titan Cubed Themis G2 300(天津)

型号:Titan Cubed Themis G2 300

技术指标:

1.EELS能量分辨率:优于0.35 eV (300 kV)。

2.透射电子显微(TEM)模式的点分辨率:优于0.22 nm (300 kV)。

3.HAADF分辨率:300 kV时0.06 nm,60 kV时优于0.136 nm。

配置情况:

1.具备聚光镜球差校正器

2.具备Super X能谱仪系统

3.高角度环形暗场(HAADF)、环形明场(ABF)、能谱(EDS)、电子能量损失谱(EELS)等技术直接观察无机材料中轻、重原子的位置和排列、三维重构

擅长样品:

单原子催化、纳米、二维材料、无机及半导体材料

Titan Cubed Themis G2 300非常适合对无机材料结构进行亚埃尺度(<0.1nm)的表征和分析,包括基础形貌、成分、衍射、高分辨结构等分析;形貌和成分的三维重构;差分相位衬度(DPC)分析以及原子间电场分布,能利用高角度环形暗场(HAADF)、环形明场(ABF)、能谱(EDS)、电子能量损失谱(EELS)等技术直接观察无机材料中轻、重原子的位置和排布情况,并获得相应的化学环境和电子结构信息,可应用于用于材料、化学化工、半导体、地质学、生物学、物理学等领域。
Titan Themis G2 300总体机时数量:600h/年,购置后可预约,周期:1周
总体机时数量:200h/年+500/年,购置后可以预约,预约周期1~2周
球差电镜 机时数(h) 单价(元) 总价(元)
Titan Cubed Themis G2 300 X<10 3500 3500*X
Titan Cubed Themis G2 300 10 3000 30,000
Titan Cubed Themis G2 300 20 2500 50,000
Titan Cubed Themis G2 300 50 2000 100,000
设备名称:高分辨场发射透射电镜 FEI Talos 200X(天津)

型号: Titan Cubed Themis G2 300

技术指标:

1.TEM模式的点分辨率:优于0.25 nm (200 kV)

2.STEM点分辨率:优于0.16 nm (200 kV)

3.极靴间距不小于 5 mm

4.在200kV时的结构三维重构的空间分辨率优于1 nm

5.在200kV时的成分三维重构的空间分辨率优于2 nm

配置情况:

1.具备Super X能谱仪系统

2.具备原位加热样品杆

3.高角度环形暗场(HAADF)、环形明场(ABF)、能谱(EDS)等技术直接观察无机材料中轻、重原子的位置和排列、三维重构

擅长领域:

单原子催化、纳米、二维材料、无机及半导体材料

Talos F200X的STEM模式和TEM模式适用于对无机材料结构进行高分辨表征和分析,除了常规的形貌、成分、衍射分析外,还能够对无机材料进行形貌和成分三维重构;差分相位衬度(DPC)分析,可用于材料、化学化工、半导体、地质学、生物学、物理学等领域。
Talos F200X 总体机时数量:500h/年,购置后可预约,周期:1周
球差电镜 机时数(h) 单价(元) 总价(元)
Talos F200X X<10 1000 1000*X
Talos F200X 10 900 9,000
Talos F200X 20 800 16,000
Talos F200X 50 700 35,000
设备名称:LaB6透射电镜 Tecnai G2 Spirit TWIN(天津)

型号:FEI Tecnai G2 Spirit TWIN

技术指标:

1.TEM线分辨率:0.20 nm

2.TEM点分辨率:0.34 nm

3.加速电压20, 40, 60, 80, 100, 120 kV

4.放大倍数:18~650,000

5.具备能谱仪系统

6.具备CCD相机

配置情况:

1.EDS能谱仪系统

2.CCD成像系统

擅长领域:

生物样品、纳米粉末、球差电镜的筛样

Tecnai G2 Spirit TWIN适用于材料的形貌、成分表征分析,其带有电子衍射分析,且可以进行冷冻样品分析,可用于材料、化学化工、半导体、地质学、生物学、物理学等领域
Tecnai G2 Spirit TWIN 总体机时数量:500h/年,购置后可预约,周期:1周
球差电镜 机时数(h) 单价(元) 总价(元)
Tecnai G2 Spirit TWIN X<10 800 800*X
Tecnai G2 Spirit TWIN 10 700 7,000
Tecnai G2 Spirit TWIN 20 600 12,000
Tecnai G2 Spirit TWIN 50 500 25,000
注意:生物样品透射观察标准报价800/h;
设备名称:聚焦离子束系统FIB- FEI HeliosNanoLab 460HP(天津)

型号:Heilos NanoLab 460HP

技术指标:

1.SEM电压:20V~30kV

2.SEM分辨率:2kV@0.6 nm,15kV@0.6nm;

3.离子束电压:500V~30kV

4.离子束束流:0.1pA~65nA,30kV@2.5nm

配置情况:

沉积及辅助刻蚀材料:Pt、C、TEOS、W、XeF2

配备有纳米机械手

擅长服务

无机、金属、陶瓷、半导体截面加工及透射样制备

Heilos Nanolab 460HP非常适用于二次电子、背散射电子及等离子成像、三维重构和数据分析、TEM样品制备、半导体元器件、集成电路的修补和失效分析、EDS能谱分析(点、线、面),从而用于材料、化学化工、半导体、地质学、生物学、物理学等领域的研究。
总机时数量:1000h/年,预约周期1周内;
1)常规加工:
SEM-FIB 机时数(h) 单价(元) 总价(元)
SEM-FIB加工 X<20 2000 2000*X
SEM-FIB加工 30 1500 45000
SEM-FIB加工 50 1300 65000
2)TEM制样:
TEM制样 数量(pcs) 单价(元) 总价(元)
TEM制样 X<10 5,000 5,000*X
TEM制样 10 4000/样 40000
TEM制样 20 3500 70000
设备名称:聚焦离子束-电子束(FIB-SEM)双束系统 (天津)

型号:Zeiss Crossbeam 540

技术指标:

1.电子束加速电压:0.02~30kV,分辨率3nm@20kV;

2.电子束放大倍数:12~200万倍

3.离子源Ga+,分辨率3nm@30kV,寿命:3000uAh

4.放大倍数:300~50万倍

5.离子束流:10pA~40nA

配置情况:

配件:Pt源、C等

机械手:纳米机械手

擅长领域:

透射电镜样品制备、半导体器件加工及失效分析

Crossbeam 540聚焦离子束(FIB)系统采用液态Ga离子源,加速电压30kV下分辨率可达到3nm,同时配有5支气体注入系统及透射电镜制备样品用机械手,系统可适用于横截面、断层扫描、3D分析、TEM透射样品制备及纳米图形加工。
CrossBeam机时数量:500h/年,购置后可以预约,预约周期3~5天;
1)常规加工:
SEM-FIB 机时数(h) 单价(元) 总价(元)
SEM-FIB加工 X<20 2000 2000*X
SEM-FIB加工 30 1500 45000
SEM-FIB加工 50 1300 65000
2)TEM制样:
TEM制样 数量(pcs) 单价(元) 总价(元)
FIB制样 X<10 5,000 5,000*X
FIB制样 10 4000 40000
FIB制样 20 3500 70000
备注:特殊样品成本单独洽谈。
设备名称:精密离子束抛光及镀膜仪GATAN PECSII(天津)

型号:Gatan PECS II

技术指标:

1.离子枪:两支潘宁式离子枪,角度0~18度

2.离子枪能量:0.1keV-8keV

3.抛光面积:平面区域直径>10mm,横截面>2*2mm

4.样品尺寸:最大不超过32mm*15mm

配置情况:

Au、Pt,可自由选择不同靶材进行镀膜

配液氮冷台、去除热效应对样品的损伤

擅长领域:

无机、金属、陶瓷、矿石、锂电池材料、半导体芯片截面SEM样品制备及EBSD样品制备、失效分析及芯片逆向样品

GATAN第二代精密刻蚀镀膜仪(PECS Ⅱ)是一款桌面型宽束氩离子抛光、镀膜及膜厚测量于一体的设备,具有Pt、Au镀膜、截面离子束抛光,可以广泛用于高质量的SEM、EBSD样品及失效分析截面样品制备
GATAN PECSII机时数量:1000h/年,购置后可以预约,预约周期3~5天;
1)常规加工:
GATAN PECSII 机时数(h) 单价(元) 总价(元)
GATAN PECSII X<20 600 600*X
GATAN PECSII 50 500 25000
GATAN PECSII 100 300 30000
2)样品制备及处理:
GATAN PECSII 机时数(h) 单价(元) 总价(元)
喷金、Pt镀膜 1 300 300
TEM去除非晶层 1 300 300
EBSD样品(1mm2) 1 1000 1000
芯片截面(1mm2) 1 100 1000
备注:
预存超过5万,可享受8折优惠,预存10万,可享受5折优惠;特殊样品成本单独洽谈。
设备名称:超高分辨场发射扫描电镜(天津)

型号:FEI Verios 460L

技术指标:

1.分辨率:二次电子图像:0.6 nm (15 kV),0.7 nm (1 kV)背散射电子像:1.5 nm (15 kV)

2.着陆电压范围为20V ~ 30 kV,束流范围为0.8 pA ~ 100 nA(15 kV)、0.8 pA ~ 100 nA(2 kV)、0.8 pA ~ 100 nA(1 kV)

3.具备STEM探头

4.配备有防样品被空气氧化的传输装置

配置情况:

1.二次电子、背散射电子成像

2.可以同时获取BF、DF以及HAADF图像

3.EDS能谱分析(点、线、面)

擅长服务

无机、金属、陶瓷、半导体样品的截面分析

Verios 460L适用于材料的形貌和成分分析,其最大分辨率可达到1nm,可以二次电子、背散射电子成像;获取BF、DF以及HAADF图像,可用于材料、化学化工、半导体、地质学、生物学、物理学等领域。
总机时数量:350h/年,预约周期1周内;
项目 机时数(h) 单价(元) 总价(元)
Verios 460L X<20 800 800*X
Verios 460L 30 600 18000
Verios 460L 50 500 25000
设备名称:环境场发射扫描电镜Quanta FEG250(天津)

型号:Quanta FEG250

技术指标:

1.二次电子图像:高真空模式1.0 nm @ 30 kV,3.0 nm @ 1 kV 背散射电子像:高真空模式2.5 nm @ 30 kV,低真空及环境真空模式1.4 nm @ 30 kV

2.加速电压范围为200 V ~30 kV,束流范围为0.8 pA ~100 nA(15kV)、0.8 pA ~100 nA(2 kV)、0.8 pA ~100 nA(1 kV)

3.可通气体为水蒸气

擅长服务:

无机、金属、半导体、矿物及生物、植物样品

Quanta FEG250型环境场发射扫描电镜除了包含普通扫描电镜的全部测试外,还可以以水蒸气为气氛针对生物样品进行分析(细胞结构)
总机时数量:500h/年,预约周期1周内;
(1)普通扫描电镜
项目 机时数(h) 单价(元) 总价(元)
Quanta FEG250 X<20 500 500*X
Quanta FEG250 50 400 20000
(2)生物样品(水蒸气模式)
项目 机时数(h) 单价(元) 总价(元)
生物样品 X<20 800 800*X
生物样品 50 500 25000
  • 设备一
  • 设备二
  • 设备三
设备名称:聚光镜球差校正透射电镜(Themis Z)(无锡)

型号:FEI Themis Z

技术指标:

1.60 kV - 300 kV

2.≤100pm@300kV(TEM)

3.≤60pm@300kV(STEM)(聚光镜校正)

4.电压范围:80kV\200kV\300kV

5.可选的“最高产量”或“最干净”的 EDX 提供满足任何表征需求的解决方案

6.增强的可用性和成像灵活性,让可成像的样品范围更广泛

配置情况:

1.CCD,利用 4k x 4k Ceta 16M 瞬时缩放镜头,以最快的速度从介观长度尺度导航至原子长度尺度

2.STEM、Super EDS系统

擅长样品:

石墨烯等二维材料、纳米材料及半导体样品

Themis Z 型球差校正透射电镜出色的性能可以轻松获取原子信息,更快获取结果,获得精致的S/TEM 图像质量,具有强大的分析能力。它的分辨率无论是透射模式还是扫描透射模式下,都可以在大样品仓下保证60pm的点分辨率,是业界最高的分辨率。
FEI Themis Z 总体机时数量:50周/年,每周1天,购置后可以预约,预约周期1周
球差电镜 机时数(h) 单价(元) 总价(元)
FEI Themis Z X<10 3500 3500*X
FEI Themis Z 10 3000 30,000
FEI Themis Z 20 2500 50,000
FEI Themis Z 50 2000 100,000
样品要求: (a)严禁对磁性样品进行观察,样品必须用磁铁进行逐一检查, (b)粉末无磁性样品必须用洗耳球或氮气枪进行多次吹洗,否则不允许进行观察。
设备名称:聚焦离子束系统FIB- FEI Scios DualBeam(无锡)

型号:FEI Scios DualBeam

技术指标:

1.电子束电流范围:1 pA - 250 nA;

2.电子束电压:200 eV – 30 keV

3.电子束分辨率:1.0 nm (30 keV)、1.6 nm(1 keV)

4.离子束分辨率:3.0 nm

配置情况:

1.金属源:pt,C

2.配备能谱

3.具有C、Pt等气体

4.配置机械手

擅长样品:

半导体、金属、陶瓷材料截面加工及透射样品制备

Scios DualBeam系统适用于金属、复合材料和涂层,特点是适用磁性样品、借助漂移抑制对不导电的样品可以进行操作、Trinity检测套件可同步检测材料、形态和边缘对比对度,大大提高效率、软件可以实现三维数据立方体分析金属中夹杂物大小和分布、独有的工作流模式,可以设定程序,降低操作员的难度。
机时:每周2天,总机时数量:50周,预约周期3~5天内
1)常规加工
SEM-FIB 机时数(h) 单价(元) 总价(元)
SEM-FIB加工 X<20 2000 2000*X
SEM-FIB加工 30 1500 45000
SEM-FIB加工 50 1300 65000
2)TEM制样
TEM制样 数量 单价(元) 总价(元)
TEM制样 X<10 5000 5000*X
TEM制样 10 4000 4000
TEM制样 20 3500 70000
样品要求: (a)严禁对磁性粉末样品进行观察(b)粉末无磁性样品必须用洗耳球或氮气枪进行多次吹洗,否则不允许进行观察。
设备名称:聚焦离子束系统FIB- FEI Helios 600i(合肥)

型号:FEI Helios 600i

技术指标:

1.二次电子像分辨率:0.9nm(15kV),1.4nm(1kV)

2.放大倍数:40~600000

3.加速电压:0.5~30kV

4.Ga离子成像分辨率4nm(30kV)

配置情况:

1.EDS能谱仪

2.纳米机械手

3.气体沉积针

擅长领域:

无机、金属、半导体、磁性多层膜及纳米加工

Heilos Nanolab 600i非常适用于TEM透射电镜样品制备、SEM扫描电子显微镜结构分析、微纳结构加工,在微纳结构操作机械手、Omniprobe操作探针、离子束切割等的配合下,可以进行各种微纳材料的搬运、各种微纳结构形状或图案的加工。
总机时数量:500h/年,预约周期1周内;
1)常规加工
SEM-FIB 机时数(h) 单价(元) 总价(元)
SEM-FIB加工 X<20 2000 2000*X
SEM-FIB加工 30 1500 45000
SEM-FIB加工 50 1300 65000
2)TEM制样
TEM制样 机时数(h) 单价(元) 总价(元)
FIB制样 X<10 5000 5000*X
FIB制样 10 4000 40000
FIB制样 20 3500 70000
  • 北京检测项目报价
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  • 无锡检测项目报价
设备名称 厂家 型号 地区 报价 预存优惠
场发射扫描电子显微镜 美国FEI XL30 S-FEG 北京 形貌及成分分析:500/h 最低可至260/h
高分辨透射电子显微镜 美国FEI FEI F20 HRTEM 北京 透射形貌、成分分析:900/h;整包服务:3000/pcs 最低可至600/h
球差矫正透射电镜 日本电子 JEM-ARM200F 北京 透射电镜观察:3000/h;整包分析服务:8000/样 最低可至2000/h
FIB-SEM双束系统 德国蔡司 Zeiss Cross Beam 540 北京 FIB-SEM加工:1500/h;透射制样:5000/pcs;三维重构:20000/case 最低可至1100/h
FIB-HIM三束系统 德国蔡司 Zeiss Orion NanoFab 北京 FIB-HIM加工:2000/h;三维重构:20000/case 最低可至1100/h
常温超薄切片 莱卡 Lecia UCT 北京 生物透射样制备:1500/h 最低1000
冷冻超薄切片 莱卡 Lecia EM FCS 北京 生物透射样制备:2500/pcs 最低2000
高分辨透射电镜 美国FEI F30 北京 形貌、能谱、EELS:1000/h 最低600
设备名称 厂家 型号 地区 报价 预存优惠
聚光镜球差校正透射电镜 美国FEI Titan Cubed Themis G2 300 天津 3500/h,8000/样(保样) 最低可至2000/h
高分辨场发射透射电镜 美国FEI Talos F200X 天津 透射形貌、成分分析:1000/h;整包服务:3000/pcs 最低可至700/h
LaB6透射电镜 美国FEI Tecnai G2 Spirit TWIN 天津 透射形貌分析:700/h;生物透射样:800/h 最低可至400/h,生物500/h
高分辨场发射扫描电镜 美国FEI Verios 460L 天津 形貌分析:800/h 最低可至500/h
FIB-SEM双束系统 美国FEI Heilos NanoLab 460HP 天津 FIB-SEM加工:2000/h;透射样品制备:5000/case 最低可至1300/h
FIB-SEM双束系统 德国蔡司 Zeiss Crossbeam 天津 FIB-SEM加工:2000/h;透射样品制备:5000/pcs 最低1300/h
离子束刻蚀及镀膜 Gatan PECS II 天津 截面样品制备:1000/pcs;镀膜:300/次 最低300/h、500/pcs
环境场扫描电镜 美国FEI Quanta FEG250 天津 普通扫描电镜:500/h;生物样形貌分析(水蒸气):800/h 最低400/h、500/h
设备名称 厂家 型号 地区 报价 预存优惠
聚焦离子束系统FIB-SEM 美国FEI FEI Scios DualBeam 无锡 形貌、成分分析:2000/h;透射样品制备:5000/pcs 最低可至1300/h
球差校正透射电镜 美国FEI FEI Themis Z 无锡 形貌、成分分析:3500/h;整包服务:8000/pcs 最低可至2000/h
高分辨率透射电子显微镜 美国FEI FEI Talos 200 呼和浩特 透射形貌、成分:1000/h;整包分析:3000/pcs 最低可至700/h
聚焦离子束系统FIB-SEM 美国FEI FEI Helios 600i 合肥 FIB-SEM加工:2000/h;透射样品制备:5000/pcs 最低可至1300/h